أعلنت Micron اليوم عن أول حلول تخزين UFS 4.1 و UFS 3.1 في العالم المبنية على معمارية G9، مما يوفر أداءً محسّنًا ويدعم المزيد من ميزات الذكاء الاصطناعي على الهواتف الذكية.
تحسينات كبيرة في الأداء وكفاءة الطاقة
تعتمد شرائح التخزين الجديدة على عملية التصنيع G9، وتتميز بكفاءة طاقة محسنة وسرعات قراءة/كتابة أعلى. ستتوفر هذه الشرائح بسعات تتراوح بين 256 جيجابايت و1 تيرابايت، مما يجعلها مثالية للهواتف الرائدة بما في ذلك الأجهزة القابلة للطي والنحيفة للغاية.
تقنيات برمجية لتعزيز تجربة المستخدم
إلى جانب التحسينات في العتاد، قدمت Micron بعض الميزات البرمجية التي تعزز أداء مهام الذكاء الاصطناعي وتحسّن تجربة الاستخدام، ومنها:
- Zoned UFS: يعزز كفاءة القراءة والكتابة ويقلل الضغط على التخزين.
- إلغاء تجزئة البيانات (Data Defragmentation): يحسّن إعادة ترتيب البيانات داخل وحدة التخزين بنسبة 60%.
- Pinned WriteBooster: يسمح بوصول أسرع إلى البيانات المخزنة مؤقتًا داخل وحدة WriteBooster بنسبة تصل إلى 30%.
- متعقب التأخير الذكي (Intelligent Latency Tracker): يعمل تلقائيًا على تحليل زمن الاستجابة وتصحيح الأخطاء لتحسين الأداء.
موعد التوفر في الهواتف الذكية
ستبدأ شرائح LPDDR5X من Micron، والتي تم تصنيعها أيضًا بتقنية 1y، في الوصول إلى الأجهزة في أوائل عام 2026، بينما من المتوقع أن تتوفر حلول تخزين UFS 4.1 و UFS 3.1 في الهواتف الرائدة قريبًا.
💡 مع هذه التطورات، تستعد الهواتف الذكية القادمة لتحقيق أداء أقوى في تطبيقات الذكاء الاصطناعي، مع سرعات تخزين غير مسبوقة وكفاءة طاقة محسنة! 🚀
