تواصل هواوي تحدي القيود الأميركية المفروضة على قطاع التكنولوجيا المتقدمة، حيث كشفت تسريبات حديثة أن الشركة الصينية تعمل على تطوير شريحتين ثوريتين بدقة تصنيع 3 نانومتر، باستخدام تقنيتين مختلفتين، وتخطط لإطلاق النموذج الأولي بحلول عام 2026.
شريحتان بتقنيتين مختلفتين: GAA FET وأنابيب الكربون النانوية
بحسب تقرير من موقع UDN التايواني، تتبع هواوي نهجًا مزدوجًا في تطوير شرائح 3 نانومتر. الأولى تعتمد على تقنية Gate-All-Around FET (GAA FET)، المعروفة بتحسين كفاءة الطاقة وزيادة الأداء، بينما الثانية تستند إلى أنابيب الكربون النانوية، وهي تقنية مستقبلية يُتوقع أن تتفوق على السيليكون التقليدي من حيث السرعة والكفاءة.
هواوي تسير على خُطى نجاحها السابق مع شريحة Kirin X90 بدقة 5 نانومتر، والتي تم تصنيعها محليًا عبر شركة SMIC باستخدام تقنيات DUV القديمة (بدون آلات EUV من ASML). ورغم تعقيد الطريقة، تمكنت هواوي من الوصول إلى نسبة إنتاج (yield) تُقدّر بـ20% فقط، وهي أقل بكثير من الشركات الرائدة مثل TSMC.
العقبة الكبرى: القيود التقنية ونسبة الإنتاج المنخفضة
ورغم الطموح الكبير، تواجه هواوي تحديًا صعبًا في تصنيع شرائح 3 نانومتر باستخدام تقنيات DUV، التي تُعرف بانخفاض كفاءتها في هذه الدقة. لكن الشركة تراهن بقوة على استثمار ضخم بقيمة 37 مليار دولار لتطوير تقنية EUV محلية الصنع، ويُقال إن أولى نتائج هذا الاستثمار قد تظهر بحلول عام 2026.
بينما يبدي البعض تفاؤلًا بنجاح هواوي، مثل المستخدم @zephyr_z9 على منصة X، فإن آخرين مثل المهندس السابق في ASML @lithos_graphein يشككون في إمكانية اللحاق بشركات مثل TSMC وSamsung، التي تعتمد حاليًا على تقنيات EUV المتقدمة لإنتاج شرائح 3 نانومتر.
هل تنجح هواوي في تقليص الفجوة مع عمالقة الشرائح؟
إذا تمكنت هواوي من تطوير شرائح 3 نانومتر بتقنية GAA أو الأنابيب النانوية، فإن ذلك قد يُغير قواعد اللعبة ويُعزز مكانة الصين في سباق أشباه الموصلات العالمي. ولكن تبقى نسبة الإنتاج المنخفضة والاعتماد على تقنيات قديمة من أبرز التحديات التي قد تعرقل هذا الطموح.
ابدأ المناقشة في forum.mjbtechtips.com