أفادت تقارير سابقة أن عملية 2 نانومتر GAA من سامسونج ستقلل من تسرب الطاقة، مما يسمح لمعالج Exynos 2600 بتحقيق تحسينات كبيرة في الكفاءة. ولكن حتى مع انخفاض استهلاك الطاقة، كان لا يزال من المحتم أن تكون درجات حرارة الشريحة مرتفعة بدون تبريد كافٍ. لحسن الحظ، يبدو أن سامسونج قد وجدت الحل.
أداء أسرع بنسبة 14%.. بفضل التبريد المتقدم
خلال الاختبارات الداخلية لمعالج Exynos 2600، قيل إن الشريحة كانت أسرع بنسبة 14% من A19 Pro في اختبارات الأنوية المتعددة، مع كون وحدة معالجة الرسومات الخاصة بها أسرع بنسبة 75%.
في أحدث تسريب لـ Geekbench 6، تطابقت نتائج النواة الواحدة لمعالج سامسونج الأول بتقنية 2 نانومتر GAA مع نتائج شريحة M5 من أبل. وبافتراض دقة هذه الأرقام، فمن المحتمل أن تكون تقنية “Heat Pass Block” من سامسونج قد ساعدت في الحفاظ على درجات حرارة Exynos 2600 منخفضة، مما سمح لها بالحفاظ على سرعات أعلى للمعالج ووحدة معالجة الرسومات.
ما هي تقنية “Heat Pass Block”؟
بالنسبة لأولئك الذين لا يعرفون، تضع بنية شرائح Exynos الحالية ذاكرة DRAM مباشرة على قالب SoC. وعندما يتم الضغط على كلا المكونين تحت عبء عمل مكثف، يمكن أن يؤدي ذلك إلى توليد كمية غير مستدامة من الحرارة، مما يساهم في الاختناق الحراري بوتيرة أسرع.
تعمل تقنية “Heat Pass Block” كمشتت حراري سلبي مصغر، يتم وضعه مباشرة على قالب الشريحة لتعزيز تبديد الحرارة.
تصنيع متقدم لزيادة الكفاءة
علاوة على ذلك، تمت إضافة تقنية FOWLP من سامسونج إلى Exynos 2600 لتحسين مقاومة الحرارة وتقديم أداء متعدد الأنوية متزايد. وتعتبر عملية 2 نانومتر GAA هي اللمسة النهائية لتعزيز الكفاءة بشكل أكبر.
وفقاً لتحديث سابق، بدأت سامسونج الإنتاج الضخم لـ Exynos 2600 في أواخر سبتمبر.
📡 لمزيد من التحديثات اليومية، تفضل بزيارة قسم الأخبار على موقعنا.
ابقَ في صدارة المشهد التقني! 🔍
انضم إلى مجتمعنا على تيليغرام لتصلك أبرز الأخبار أولاً بأول! 💡
ابدأ المناقشة في forum.mjbtechtips.com